- 中心波長：1600nm(typ)
- 動作電流：3.5A(typ)
- スペクトルバンド幅：8nm(typ)
- 出力パワー(C-band)：1W(min)
- スロープ効率：0.4W/A(typ)
1600nm/1.0W Broad Area Laser Diode Chips
1600nm/1.0W ブロードエリアLDチップ
製品概要
1600nm/1.0W ブロードエリアLDチップは、高効率のInP/InGaAsP QWレイヤ構造を採用しています。ウェハ成長技術、ダイボンド加工技術に優れているため高出力パワーに対応できます。
特長
- Center Wavelength：1600nm(typ)
- Operating Current：3.5A(typ)
- Spectral Bandwidth：8nm(typ)
- Output Power(C-band)：1W(min)
- Slope Efficiency：0.4W/A(typ)
