1600nm/1.0W ブロードエリアLDチップ 画像

1600nm/1.0W Broad Area Laser Diode Chips

1600nm/1.0W ブロードエリアLDチップ

型番
BAL1116
製品カテゴリ
メーカ

製品概要

1600nm/1.0W ブロードエリアLDチップは、高効率のInP/InGaAsP QWレイヤ構造を採用しています。ウェハ成長技術、ダイボンド加工技術に優れているため高出力パワーに対応できます。

特長

  • 中心波長:1600nm(typ)
  • 動作電流:3.5A(typ)
  • スペクトルバンド幅:8nm(typ)
  • 出力パワー(C-band):1W(min)
  • スロープ効率:0.4W/A(typ)
  • Center Wavelength:1600nm(typ)
  • Operating Current:3.5A(typ)
  • Spectral Bandwidth:8nm(typ)
  • Output Power(C-band):1W(min)
  • Slope Efficiency:0.4W/A(typ)

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