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InP Wafer

InPウェハー

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製品カタログ(PDF)

製品概要

Grown by MOCVD epitaxy on InP substrate. Provide FP and DFB epitaxial wafers with center wavelengths from 1250nm to 1650nm.

特長

中心波長:
1250-1650nm
厚みエラー:
<5%
CW:
1250-1650nm
Thickness Error:
<5%
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