ウェハーボンディング装置 画像

Wafer Bonding Equipment

ウェハーボンディング装置

特長

材料:
シリコン/LN/石英/GaAs/InP
直径:
25mm/100mm
厚さ:
100um-1mm
表面粗さ:
<0.5mm
Material:
Silicon/LN/Quartz/GaAs/InP
Diameter:
25mm/100mm
Thickness:
100um-1mm
Surface Roughness:
<0.5mm
製品カタログ(PDF) 製品について相談する