ウェハーボンディング装置 画像

Wafer Bonding Equipment

ウェハーボンディング装置

特長

材料:
シリコン/LN/石英/GaAs/InP Silicon/LN/Quartz/GaAs/InP
直径:
25mm/100mm
厚さ:
100um-1mm
表面粗さ:
<0.5mm
Material:
シリコン/LN/石英/GaAs/InP Silicon/LN/Quartz/GaAs/InP
Diameter:
25mm/100mm
Thickness:
100um-1mm
Surface Roughness:
<0.5mm

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