- ウェーハ形状:5×1.5mm(typ)
バイアス電圧:40V
ポンプ波長:800+/-40nm/1050+/-40nm
ポンプ出力:50mW(max)@800nm/20mW(max)@1um
暗抵抗:>200Mohm@800nm/>30Mohm@1um

Terahertz Emitter
SUMMARY
FEATURES
- Wafer Dimension:5×1.5mm(typ)
Bias Voltage:40V
Pumping Wavelength:800+/-40nm/1050+/-40nm
Pumping Power:50mW(max)@800nm/20mW(max)@1um
Dark Resistance:>200Mohm@800nm/>30Mohm@1um